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[实用新型]高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置-CN201420565737.3有效
发明人：井治;钱宝铎;张超群;罗松松;王程 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制氧化钛介电层，氮化硅介电层，氧化锌介电层，镍铬金属合金层，银功能层，镍铬金属合金层，氧化锌锡介电层和氮化硅介电层。
透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置

[发明专利]多层印刷电路板及其制造方法-CN201910119235.5有效
发明人： S·伊克塔尼;D·克斯滕 -专利权人：桑米纳公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本公开涉及多层印刷电路板及其制造方法，该多层印刷电路板具有第一介电层以及选择性地定位在该第一介电层中的第一镀制抗蚀剂。第二镀制抗蚀剂可以被选择性地定位在第一介电层或第二介电层中，第二镀制抗蚀剂与第一镀制抗蚀剂分离。贯通孔延伸穿过第一介电层、第一镀制抗蚀剂以及第二镀制抗蚀剂。除了沿着第一镀制抗蚀剂与第二镀制抗蚀剂之间的长度，贯通孔的内表面被镀制有导电材料。这形成了具有与第二通孔段电隔离的第一通孔段的分割的镀制贯通孔。
多层印刷电路板及其制造方法

[发明专利]多层印刷电路板及其制造方法-CN201480021470.4有效
发明人： S·伊克塔尼;D·克斯滕 -专利权人：桑米纳公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本公开涉及多层印刷电路板及其制造方法，该多层印刷电路板具有第一介电层以及选择性地定位在该第一介电层中的第一镀制抗蚀剂。第二镀制抗蚀剂可以被选择性地定位在第一介电层或第二介电层中，第二镀制抗蚀剂与第一镀制抗蚀剂分离。贯通孔延伸穿过第一介电层、第一镀制抗蚀剂以及第二镀制抗蚀剂。除了沿着第一镀制抗蚀剂与第二镀制抗蚀剂之间的长度，贯通孔的内表面被镀制有导电材料。这形成了具有与第二通孔段电隔离的第一通孔段的分割的镀制贯通孔。
使用镀制抗蚀剂结构进行同时选择性间隙分割

[发明专利]内埋电子元件结构及其制造方法-CN200710198632.3有效
发明人：史哲坤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：其中此内埋电子元件结构包括：下压合层、第一夹制层、介电层、第二夹制层、电子元件、上压合层以及连结栓。第一夹制层设置于下压合层之上。介电层设置于第一夹制层之上。第二夹制层位于介电层之上。电子元件埋设于该介电层之中，且电子元件的下表面与第一夹制层接触，电子元件的上表面与第二夹制层接触。上压合层覆盖于第二夹制层之上。连结栓邻接于电子元件并贯穿介电层，且分别与第一夹制层及第二夹制层连结。本发明解决现有的内埋电子元件因电子元件与封装结构之间的结合力不足，而导致封装体脱层或断裂的问题，以达到提升良率与降低制造成本的目的。
电子元件结构及其制造方法

[发明专利]双镶嵌式开口结构的制作方法-CN03156045.8无效
发明人：吴孟韦;梁恩山;李铿尧;吴素华 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括下列步骤：提供一制有介电层的半导体基底；制一具接触孔开口图案的第一光阻层于该介电层上；制一牺牲层于第一光阻层上，且填入上述接触孔开口图案；制一具内连线开口图案的第二光阻层于牺牲层上，且第二光阻层露出接触孔开口图案上方的牺牲层；以第二光阻层为罩幕蚀刻牺牲层，将内连线开口图案转移至牺牲层；以第二光阻层为罩幕，依序蚀刻第一光阻层与介电层，将内连线开口图案转移至介电层，并沿接触孔开口图案蚀刻介电层，以于介电层中形成一接触孔开口。本发明具有简化的制作步骤，可降低制造成本，并避免介电层间的寄生电容增加，降低元件在运作时的RC延迟。
镶嵌开口结构制作方法

[发明专利]树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件-CN201110179460.1无效
发明人：郭建;闵泰烨;陈旭;谢振宇;张文余 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，涉及制造技术领域，为提供降低的介电常数而发明。所述树脂介电层材料的制备方法包括：步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。所述树脂介电层的制备方法包括：步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。本发明可用于提供具有较低介电常数的膜层。
树脂介电层及其材料制备方法液晶面板显示器件

[发明专利]介电层的制造方法-CN99117965.X有效
发明人：史望澄;彭冠杰;赵兰璘 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1999-08-17 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，可应用于电容器。首先提供第一导电层，再对第一导电层实施一氮化反应，以在其表面形成一氮化物层。再形成一具有高介电常数的介电层，并对介电层先后实施一热处理及一氧等离子处理，以终结该介电层中的悬置键，并在该介电层表面吸附布置与悬置键键结的氧。这在介电层表面的一层活性氧原子使得后续的氮化钛在镀制时，自然形成一层极薄的氮氧化物，此氮氧化物薄膜有稳定界面，保护介电层的效果。
介电层制造方法

[发明专利]一种冷光片介电层的组织结构及介电层制备方法-CN201711045625.X有效
发明人：张慧;任晓更;张健;宋国祥;张红文 -专利权人：北京星箭长空测控技术股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种冷光片介电层的制备方法，其中，包括如下步骤：A、制备FeNi₃合金亚微米球的步骤；B、对FeNi₃合金亚微米球进行SiO₂介电壳层包覆形成核壳结构的步骤；C、旋涂法制备介电层的步骤。本发明的优点为配比简单，制作方法简单，制得的介电层介电性能好，且微纳米颗粒无团聚现象，发光均匀。
一种冷光片介电层组织结构制备方法

[发明专利]半导体元件的多层内介电层及其制造方法-CN200610001667.9有效
发明人：张正宏;陆晓慈;傅竹韵;张文;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明为提供一种半导体元件的多层内介电层及其制造方法，具体涉及一种增进插塞模组表现的方法，其是包含通过降低内介电层的表面差异度来改善所制得的插塞模组表现，其对制造电性插塞上将产生较佳的表现。此内介电层是包含多层，第一层(610)是保护基底上元件免于受其后续蚀刻制程的损害，同时，一第二层(620)是覆盖于此第一层之上。由于基底上元件的轮廓表面差异，则借第三层(630)用以填充间隙。第四层(640)的厚度可使内介电层达到预期的厚度且通过一种可制得一非常平坦的内层的方法以完成此内介电层。此种多介电层的运用无须使用化学机械研磨制程即可消除内连线层中的轮廓表面差异(填充间隙与平坦化突起处)。
半导体元件多层内介电层及其制造方法

[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的氨气传感器及其制备方法-CN202010906869.8在审
发明人：钟建;刘洁尘;罗潇;刘泽宇;李娜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机薄膜晶体管的氨气传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域，从下到上依次包括衬底、栅电极、介电层、半导体层、源电极和漏电极，所述介电层由第一介电层和第二介电层组成的双介电层结构，所述第一介电层为机介电材料，所述第二介电层由鸡蛋清为原料制备而成。本发明利用鸡蛋清为原料制得第二介电层，有效减少了有毒试剂的使用；并且由于鸡蛋清含有丰富蛋白质，具有多种官能团，更容易感应外界气体，提升有机薄膜晶体管的气体传感响应；同时该气体传感器采用这种天然生物材料鸡蛋清
一种基于有机薄膜晶体管氨气传感器及其制备方法

[发明专利]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法-CN201810823245.2在审
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为12‑本发明中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV激光钻孔能力以及极佳的机械性能
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[实用新型]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板-CN201821179468.1有效
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为本实用新型中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能本实用新型低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[发明专利]介电材料连续微波烧结或熔制成型方法及设备-CN201910586360.7在审
发明人：徐林波 -专利权人：徐林波
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： F27B7/10 文献下载
摘要：一种介质材料连续微波烧结或熔制成型方法及设备，其特征是：采用结构层为金属壳体材料层/保温材料层/微波吸收材料层，组合构成微波炉的炉底结构；使炉底连续运行，并通过设置在静止固定的炉顶上的投料口，将需要被烧结或熔制的介电原材料连续密实化铺设并覆盖在微波吸收材料之上；常温时，需要被烧结或熔制的介电原材料不吸收微波，因而微波被其透过而被其下方的微波吸收材料层所急剧吸收而转化为热能，从而使炉底的微波吸收材料层成为一种大面积加热元件，对覆盖其上的、需被烧结或熔制的介电原材料进行加热升温；从而使这些需被烧结或熔制的介电原材料逐层变为微波吸收材料，然后它们会急剧吸收微波能量而被迅速烧结或熔化。
烧结介电熔制微波吸收材料层微波吸收材料连续微波吸收微波能量熔化保温材料层加热升温加热元件介电材料介质材料金属壳体炉底结构吸收微波材料层固定的结构层密实化投料口微波炉炉顶覆盖微波静止铺设吸收转化

[发明专利]一种氧化硅钝化PERC双面电池及其制备方法-CN202011628235.7在审
发明人：刘银生;乐雄英;陆祥 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：包括硅衬底、设置在硅衬底正面的正面介电层、依次设置在背面的第一介电层和第二介电层；正面介电层包括二氧化硅层和氮化硅层；第一介电层为氧化硅层或氮氧化硅层；第二介电层包括至少一层氮化硅层；第一介电层厚10‑100nm；第二介电层厚60‑180nm。制备：S1硅衬底表面预清洗及制绒；S2磷扩散制备P‑N结；S3硅衬底边缘刻蚀及背面抛光；S4正面介电层中二氧化硅层制备；S5正面介电层中氮化硅层制备；S6背面第一介电层制备；S7背面第二介电层制备；S8
一种氧化钝化 perc 双面电池及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810907542.5有效
发明人：王朝勋;薛婉容;赵高毅;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于形成导孔先制金属栅极接触件的方法和结构包含在具有栅极结构的基底上沉积第一介电层，栅极结构具有金属栅极层。在第一介电层内形成开口，以露出基底的一部分，以及在开口内沉积第一金属层。在第一介电层上及在第一金属层上沉积第二介电层。将第一介电层和第二介电层蚀刻，以形成栅极导孔的开口，其露出金属栅极层。将第二介电层的一部分移除，以形成接触件开口，其露出第一金属层。栅极导孔的开口和接触件开口合并形成复合开口，在复合开口内沉积第二金属层，因此将金属栅极层连接至第一金属层。
半导体装置及其制造方法

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